# О дисциплине электротехника
# Лекции
# БДЗ (ИВТ only)
# Итоговая аттестация
# Обратная связь и преподаватели
Аудиторная нагрузка дисциплины:
- Лекции – 16
- Практические занятия – 8
- Лабораторные работы – 8
План лекций
1. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА. P-N ПЕРЕХОД
1.1 Твердотельная электроника
1.2 Классификация твёрдых тел
1.3 Полупроводники
1.4 Монокристалл кремния и его выращивание
1.4.1 Монокристаллический кремний
1.4.2 Метод Чохральского
1.5 Зонная теория твёрдого тела
1.6 p-n переход
1.7 ВАХ p-n перехода
1.8 Эквивалентная модель p-n перехода
1.9 Переход полупроводник-металл
1.10 Свойства p-n перехода
1.10.1 Одностороння проводимость
1.10.2 Зависимость сопротивления от внешних факторов
1.10.3 Зависимость частоты от ёмкости
1.10.4 Дифференциальное сопротивление p-n перехода
1.10.5 Пробой p-n перехода
2. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
2.1 Теоретическая ВАХ идеального диода
2.2 Классификация и основные параметры полупроводниковых диодов
2.3 Схемы на основе диодов
2.3.1 Полупроводниковые выпрямители
2.3.2 Полупроводниковые стабилизаторы напряжения
2.3.2.1 Параметрический стабилизатор на стабилитроне
2.3.2.2 Параметрический стабилизатор на стабисторе
2.3.2.3 Недостатки простой схемы со стабилитроном
3. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
3.1 Общие сведения о транзисторах
3.1.1 Определение
3.1.2 Дискретный транзистор
3.1.3 Интегральный транзистор
3.1.4 Применение биполярных транзисторов
3.1.5 Применение полевых транзисторов
3.2 Классификация транзисторов по основным параметрам
3.2.1 Обзор полупроводниковых материалов
3.2.1.1 Германий (Ge)
3.2.1.2 Кремний (Si)
3.2.1.3 Арсенид галлия (GaAs)
3.2.1.4 Карбид кремния (SiC) и нитрид галлия (GaN)
3.3 Классификация транзисторов по структуре
3.3.1 Биполярные транзисторы
3.3.1.1 Определение
3.3.1.2 Назначение и управление
3.3.1.3 Разновидности биполярных транзисторов
3.3.1.4 Диодная модель
3.3.1.5 Модель Эберса - Молла
3.3.1.6 Принцип работы
3.3.1.7 Первичные параметры транзисторов
3.3.1.8 Дифференциальные коэффициенты усиления
3.3.1.9 Вторичные параметры транзисторов
3.3.1.10 Статические характеристики (входные и выходные)
3.3.1.11 Режимы работы
3.3.2 Полевые транзисторы
3.3.2.1 Определение
3.3.2.2 Назначение и управление
3.3.2.3 Структура полевого транзистора
3.3.2.4 Разновидности полевых транзисторов
3.3.2.5 Основные характеристики полевых транзисторов
4. СХЕМЫ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
4.1 Три варианта включения БТ в схему
4.1.1 Схема с общим эмиттером (ОЭ)
4.1.2 Схема с общим эмиттером (ОК)
4.1.3 Схема с общей базой (ОБ)
4.2 Типовые схемы установки рабочей точки (РТ)
4.3 Схемы стабилизации рабочей точки
4.4 Пара Дарлингтона
4.5 Пара Шиклаи
4.6 Каскодная схема
4.7 Дифференциальный каскад
5. УСИЛИТЕЛИ ПОСТОЯННОГО ТОКА
5.1 Ослабление на низких частотах
5.2 Особенности усилителей постоянного тока
5.2.1 Схема усилителя
5.2.2 Входной ток смещения
5.2.3 Дрейф
5.3 Дифференциальный усилитель
5.3.1 Основная схема
5.3.2 Коэффициент усиления напряжения
5.3.3 Подавление синфазного сигнала и уменьшение Дрейфа
5.3.4 Симметричный выход
5.3.5 Усилитель, управляемый напряжением
5.4 Усилители в интегральном исполнении
5.5 Генератор стабильного тока и его применение в дифференциальном усилительном каскаде
6. ОПЕРАЦИОННЫЙ УСИЛИТЕЛЬ
6.1 Идеальный операционный усилитель
6.1.1 Идеальный инвертирующий усилитель
6.1.2 Идеальный неинвертирующий усилитель
6.1.3 Сравнение схем инвертирующего и неинвертирующего усилителей
6.2 Реальный операционный усилитель
6.2.1 Характеристики реального ОУ «в статике»
6.2.2 Характеристики реального ОУ «в динамике»
6.2.3 Ограничения реального ОУ
6.3 Внутренняя структура операционных усилителей
6.4 Стандартная схема операционного усилителя
6.5 Схемы на ОУ, не требующие пояснений
7. РЕЖИМЫ РАБОТЫ УСИЛИТЕЛЕЙ
7.1 Общие сведения
7.2 Режим А
7.3 Режим B
7.4 Режим AB
7.5 Режим D
7.6 Выводы по главе (Рубрика «На пальцах»)
8. СИНТЕЗ ЛОГИЧЕСКИХ ВЕНТИЛЕЙ
8.1 КМОП (CMOS)
8.2 КМОП вентили
8.2.1 Вентиль НЕ (инвертор, NOT)
8.2.2 Вентиль И-НЕ (NAND) двухвходовый
8.2.2 Вентиль ИЛИ-НЕ (NOR) двухвходовый
8.3 Потребляемая мощность КМОП вентилей
9. ПАМЯТЬ
9.1 Оперативное запоминающее устройство
9.1.1 Динамическое ОЗУ
9.1.2 Статическое ОЗУ (SRAM)
9.1.3 Аппаратные ресурсы и задержки в ОЗУ
9.1.4 Бистабильная ячейка
9.1.5 RS-триггер
9.1.6 D-защелка
9.1.7 D-триггер
9.1.8 Ячейка 6Т
9.2 Постоянное запоминающее устройство
9.2.1 Не репрограммируемые ПЗУ
9.2.1.1 ПЗУ (ROM)
9.2.1.2 ППЗУ (PROM)
9.2.2 Многократно программируемые
9.2.2.1 СППЗУ (EPROM)
9.2.2.2 ЭСППЗУ (EEPROM)
Основные понятия дисциплины «Электроника и импульсная техника»
Формат итоговой аттестации – экзамен
Баллы за итоговую аттестацию – 50
Экзамен проводится в два этапа: допуск и ответ по билету
Допуск. Для получения допуска к экзамену студенту необходимо успешно пройти онлайн-тестирование, набрав 75 из 100 баллов. Тестирование предусматривает 100 вопросов. Не набрав 75 баллов студент отправляется на пересдачу, иначе переходит к подготовке ответа по билету.
Билет. Структура экзаменационного билета включает два теоретических вопроса и задачу.