1. SiO2 + C -> Si + CO2 2. Si + 2Cl2 -> SiCl4 3. SiCl4 + 2x H2 -> Si (refined) + 4x HCl 4. CZ/チョクラルスキー法で単結晶化 5. 単結晶を切ってウェハに - 表面の研磨 - 表面の酸化 6. 薄膜形成 - フォトレジスト：感光材を塗る 7. パターン形成 - エッチング - レジスト剥離 - ドーパント注入：酸化膜のない部分に不純物イオンを注入する - 平坦化 - 電極形成 8. ダイシング 9. ワイヤーボンディング：金属枠にチップを固定し金線でつなぐ 10. モールディング：樹脂でパッケージ ### 参考文献 - SEMI, _イラストで分かる半導体製造工程_, https://www.semijapanwfd.org/manufacturing_process.html
参考文献